ВЛИЯНИЕ РАЗМЕРА КРИСТАЛЛИТОВ НА МЕХАНИЗМ ПЕРЕДАЧИ ТОКА В ПОЛИКРЕМНЕ.
Ключевые слова:
Пор-Si, размер кристаллитов, потенциальный барьерАннотация
Численно исследована зависимость высоты потенциального барьера на граничной поверхности кристаллитов в слое пористого кремния от размера кристаллитов, концентрации легирующего элемента и температуры. Также, с учетом зависимости подвижности носителей заряда от размера кристаллитов и высоты потенциального барьера, получены различные графики вольт-амперной характеристики для слоя пористого кремния.
Библиографические ссылки
1. Zhong, J. Nanostructured materials for room-temperature gas sensors / J. Zhong, X. Liu, N.
Neri, N. Pinna // Advanced Materials. — 2016. — Vol. 28, № 5. — P. 795–831.
2. Sharma, K. Study of photovoltaic properties of silicon solar cell and their dependence on grain
boundaries / K. Sharma // Advanced Research in Engineering and Technology. – 2020. – Vol. 11, № 9.
– P. 1112–1119.
3. Burgelman, M., Nollet, P., & Degrave, S. (2000). Modelling polycrystalline semiconductor
solar cells. Thin Solid Films, 361-362, 527–532.
4. Дошанов, К. М. (1997). Температурная зависимость электрических свойств
поликристаллического кремния в темноте и при воздействии солнечного излучения. Физика и
техника полупроводников, 31(8), 954–956.
5. Joshi, D. P., & Bhatt, D. P. (1984). Theory of grain boundary recombination and barrier height
in polycrystalline silicon. IEEE Transactions on Electron Devices, 31(7), 920–927.Joshi, D. D., &
Sharma, K. (2012). Effects of grain boundaries on the performance of polycrystalline silicon solar cells.
Indian Journal of Pure & Applied Physics, 50, 661–669.
6. Mandurah, M. M., Saraswat, K. C., & Kamins, T. I. (1981). A model for conduction in
polycrystalline silicon—Part I: Theory. IEEE Transactions on Electron Devices, 28(10), 1163–1171.
7. Дошанов, К. М. (1996). Рекомбинация и перенос заряда в поликристаллических
полупроводниках при воздействии оптического излучения. Физика и техника полупроводников,
30(3), 558–568.
8. Зимин, С. П. Электрофизика пористого кремния и структур на его основе : дис. ... д-ра
физ.-мат. наук : 01.04.10 / Зимин Сергей Павлович. — Ярославль, 2003. — 304 с.
9. Ильченко, А. С. Расчет потенциального барьера в пористом кремнии и
нанокристаллических полупроводниках / А. С. Ильченко, В. М. Гололобов, Е. А. Форш, П. К.
Кашкаров // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2017. — Т. 20, № 2. — С. 122–
128.
10. Козловский, А. С. Электрические свойства мелкозернистых поликристаллов CdTe / А.
С. Козловский, Ю. В. Клевков, А. Ф. Плотников // Физика и техника полупроводников. — 2004.
— Т. 38, № 4. — С. 473–478.
