Por-Si DA KRISTALLITLAR OʻLCHAMINI TOK TASHUVCHANLIK MEXANIZMIGA TAʼSIRI.
Kalit so‘zlar:
Por-Si, kristallit oʻlchami, potensial toʻsiqAbstrak
Por-Si qatlamidagi kristallitlar chegaraviy sirtidagi potensial toʻsiq balandligini kristallit oʻlchami, legirlash konsentratsiyasi va haroratga boʻgʻlanishi sonli usulda tadqiq qilingan. Shuningdek tok tashuvchilar harakatchanligi kristallit oʻlchami, potentsial toʻsiq balandligiga bogʻliqligini hisobga olgan holda por-Si qatlam uchun volt-amper xarakteristikasini turli grafiklari olingan.Havolalar
1. Zhong, J. Nanostructured materials for room-temperature gas sensors / J. Zhong, X. Liu, N.
Neri, N. Pinna // Advanced Materials. — 2016. — Vol. 28, № 5. — P. 795–831.
2. Sharma, K. Study of photovoltaic properties of silicon solar cell and their dependence on grain
boundaries / K. Sharma // Advanced Research in Engineering and Technology. – 2020. – Vol. 11, № 9.
– P. 1112–1119.
3. Burgelman, M., Nollet, P., & Degrave, S. (2000). Modelling polycrystalline semiconductor
solar cells. Thin Solid Films, 361-362, 527–532.
4. Дошанов, К. М. (1997). Температурная зависимость электрических свойств
поликристаллического кремния в темноте и при воздействии солнечного излучения. Физика и
техника полупроводников, 31(8), 954–956.
5. Joshi, D. P., & Bhatt, D. P. (1984). Theory of grain boundary recombination and barrier height
in polycrystalline silicon. IEEE Transactions on Electron Devices, 31(7), 920–927.Joshi, D. D., &
Sharma, K. (2012). Effects of grain boundaries on the performance of polycrystalline silicon solar cells.
Indian Journal of Pure & Applied Physics, 50, 661–669.
6. Mandurah, M. M., Saraswat, K. C., & Kamins, T. I. (1981). A model for conduction in
polycrystalline silicon—Part I: Theory. IEEE Transactions on Electron Devices, 28(10), 1163–1171.
7. Дошанов, К. М. (1996). Рекомбинация и перенос заряда в поликристаллических
полупроводниках при воздействии оптического излучения. Физика и техника полупроводников,
30(3), 558–568.
8. Зимин, С. П. Электрофизика пористого кремния и структур на его основе : дис. ... д-ра
физ.-мат. наук : 01.04.10 / Зимин Сергей Павлович. — Ярославль, 2003. — 304 с.
9. Ильченко, А. С. Расчет потенциального барьера в пористом кремнии и
нанокристаллических полупроводниках / А. С. Ильченко, В. М. Гололобов, Е. А. Форш, П. К.
Кашкаров // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2017. — Т. 20, № 2. — С. 122–
128.
10. Козловский, А. С. Электрические свойства мелкозернистых поликристаллов CdTe / А.
С. Козловский, Ю. В. Клевков, А. Ф. Плотников // Физика и техника полупроводников. — 2004.
— Т. 38, № 4. — С. 473–478.
