EFFECT OF CRYSTALLITES SIZE ON THE MECHANISM OF CURRENT TRANSMISSION IN POLY-Si.
Keywords:
Por-Si, crystallite size, potential barrierAbstract
The dependence of the potential barrier height at the boundary surface of crystallites in the Por-Si layer on crystallite size, alloying concentration, and temperature was studied numerically. Also, taking into account the dependence of the carrier mobility on crystallite size and potential barrier height, various graphs of the volt-ampere characteristic for the Por-Si layer were obtained.
References
1. Zhong, J. Nanostructured materials for room-temperature gas sensors / J. Zhong, X. Liu, N.
Neri, N. Pinna // Advanced Materials. — 2016. — Vol. 28, № 5. — P. 795–831.
2. Sharma, K. Study of photovoltaic properties of silicon solar cell and their dependence on grain
boundaries / K. Sharma // Advanced Research in Engineering and Technology. – 2020. – Vol. 11, № 9.
– P. 1112–1119.
3. Burgelman, M., Nollet, P., & Degrave, S. (2000). Modelling polycrystalline semiconductor
solar cells. Thin Solid Films, 361-362, 527–532.
4. Дошанов, К. М. (1997). Температурная зависимость электрических свойств
поликристаллического кремния в темноте и при воздействии солнечного излучения. Физика и
техника полупроводников, 31(8), 954–956.
5. Joshi, D. P., & Bhatt, D. P. (1984). Theory of grain boundary recombination and barrier height
in polycrystalline silicon. IEEE Transactions on Electron Devices, 31(7), 920–927.Joshi, D. D., &
Sharma, K. (2012). Effects of grain boundaries on the performance of polycrystalline silicon solar cells.
Indian Journal of Pure & Applied Physics, 50, 661–669.
6. Mandurah, M. M., Saraswat, K. C., & Kamins, T. I. (1981). A model for conduction in
polycrystalline silicon—Part I: Theory. IEEE Transactions on Electron Devices, 28(10), 1163–1171.
7. Дошанов, К. М. (1996). Рекомбинация и перенос заряда в поликристаллических
полупроводниках при воздействии оптического излучения. Физика и техника полупроводников,
30(3), 558–568.
8. Зимин, С. П. Электрофизика пористого кремния и структур на его основе : дис. ... д-ра
физ.-мат. наук : 01.04.10 / Зимин Сергей Павлович. — Ярославль, 2003. — 304 с.
9. Ильченко, А. С. Расчет потенциального барьера в пористом кремнии и
нанокристаллических полупроводниках / А. С. Ильченко, В. М. Гололобов, Е. А. Форш, П. К.
Кашкаров // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2017. — Т. 20, № 2. — С. 122–
128.
10. Козловский, А. С. Электрические свойства мелкозернистых поликристаллов CdTe / А.
С. Козловский, Ю. В. Клевков, А. Ф. Плотников // Физика и техника полупроводников. — 2004.
— Т. 38, № 4. — С. 473–478.
