ВЛИЯНИЕ ДАВЛЕНИЯ НА КОЭФФИЦИЕНТ ПОГЛОЩЕНИЯ СВЕТА В GaAs
Ключевые слова:
положение энергетической полосы, ширина запрещенной полосы, значения эффективной массыАннотация
В данной работе теоретически анализируется влияние внешнего давления на коэффициент поглощения света в полупроводниковых материалах. Рассматривается состояние энергетических зон и изменение ширины запрещенной зоны в результате изменений параметров кристаллической решетки под давлением. На основе связи между процессом поглощения света и зонной структурой анализируется зависимость коэффициента поглощения от энергии фотона. Теоретические модели объясняют, как сдвиг энергетических зон под давлением напрямую влияет на энергию переходов. Также показаны возможности определения зависимости ширины запрещенной зоны от давления посредством сдвига спектра поглощения. Полученные теоретические результаты имеют большое значение с точки зрения управления оптическими свойствами полупроводниковых материалов и их применения в оптоэлектронных устройствах.
Библиографические ссылки
1. Sze, S. M. (1981). Physics of Semiconductor Devices (2nd ed.). Wiley-Interscience.
2. Bass, M. (2001). Handbook of Optics (2nd ed.). McGraw-Hill.
3. Haug, H., & Koch, S. W. (1990). Quantum Theory of the Optical and Electronic Properties of
Semiconductors (2nd ed.). World Scientific Publishing.
4. O. Madelung, Physics of III–V Compounds, Wiley (1964).
5. S. H. Groves and W. Paul, Phys Rev. Letters 11, 194 (1963).
6. A. L. Edwards and H. G. Drickamer, Phys. Rev. 122, 1149 (1961).
7. V. M. Asnin and A. A. Rogatchev, Soviet Phys.-Solid State 5, 1730 (1963).
8. N. Holonyak Jr., M. R. Johnson and J.A. Rossi, Applied Phys. Letters 12, 151 (1968).
9. J. Bardeen, F. J. Blatt, and L. H. Hall, Proc. of Atlantic City Photoconductivity Conference
(1954), J. Wiley and Chapman and Hall (1956), p. 146.
10. W. Paul and H. Brooks, Phys. Rev. 94, 1128 (1954).
