РОСТ СЛОЯ ИЗОБРАЖЕНИЯ НА КРЕМНИЕВОЙ ПОДЛОЖКЕ И ИЗУЧЕНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ СОЗДАННОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ И ЕЕ ВЛИЯНИЯ НА ВЛАЖНОСТЬ
Ключевые слова:
материаловедение, полупроводники, фундаментальныеАннотация
Данная статья посвящена материаловедению полупроводников, кремнию. Рассматриваются вопросы создания гетероструктур на основе пленки теллурида кадмия и получения контактов к созданной системе. С помощью современных приборов изучены морфология полученных покрытий, количество элементов в покрытии, их распределение и размер поликристаллических частиц. Исследовано изменение вольт-амперных характеристик полученной структуры в зависимости от влажностиБиблиографические ссылки
1. Chen Z., Lu C. – Sens. Lett, № 3, p. 274-281, Mach 2005.
2. Korvink J.G., Chandran L., Boltshauser T. – Sens. Mater., № 4, p.323-328, April. 1999.
3. Rittersma Z.M., Splinter A., Bodecker A., Benecke W. – Sens. Actuators, v. B 68, C. 210-
217, January. 2000.
5. I.B. Sapaev, Sh.A. Mirsagatov and B. Sapaev. The fabrication and investigation of n/CdSp/CdTe-n/Si// Applied Solar Energy (English translation of Geliotekhnika). 2011. № 4, pp.31-35
Загрузки
Опубликован
2026-03-29
Как цитировать
РОСТ СЛОЯ ИЗОБРАЖЕНИЯ НА КРЕМНИЕВОЙ ПОДЛОЖКЕ И ИЗУЧЕНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ СОЗДАННОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ И ЕЕ ВЛИЯНИЯ НА ВЛАЖНОСТЬ. (2026). Universal Xalqaro Ilmiy Jurnal, 3(3.1), 749-753. https://universaljournal.uz/index.php/uxij/article/view/304