STUDY OF RECOMBINATION PROCESSES IN HYDRIED AMORPHOUS SILICON LAYERS THROUGH PHOTOELECTRIC TRANSMISSION.
Keywords:
Hydrogenated amorphous silicon, photoelectric conductivity, specific conductivityAbstract
In this article, the mechanism of recombination processes in α-Si:H<B> films is studied using the method temperature dependence Steady-State Photoconductivity. Using solutions of the continuity and electroneutrality equations, it is shown that the nonmonotonicity in the σ ~ σ0(1/T) coupling obtained for heavily doped α-Si:H<B> films arises from the different occurrence of recombination processes in D-centers in different temperature ranges.
References
1. О. А. Голикова, М. М. Казанин, А. Н. Кузнецов, Е. В. Богданова, ФТП, (2000), т. 34, В.
9, с. 66-70.
2. С. В. Кузнецов , ФТП, (2000), В. 6. с. 748-752.
3. Курова И. А., Нальгиева М. А., Ормонт Н. Н., Вестник МГУ, серия 3, Физика,
Астрономия, (2005), № 4, с. 54-57.
4. О. А. Голикова, Домошевская Э. П., Кудоярова В. Х., Мездрогина М. М., Сорокина К.
Л., Тереков В. А., Тростянский С. В., ФТП, (1989), т. 23. В. 3. с. 450-455.
5. О. А. Голикова, У. С. Бобоходжаев, Дубро В. В., Икрамов Р. Г., М. М. Казанин,
Мездрогина М. М., Яфаев Р. Р., ФТП, (1992), т. 26. В. 1. с. 66-70.
6. Балогуров Л. А., Кютте Я. Я., ФТП, (1985), т. 19. В.6. с. 1046-1049.
