(untitled) (Universal xalqaro ilmiy jurnal, 2026)
Ushbu maqolada a-Si:H pardalarida stasionar fotoelektrik o‘tkazuvchanlikning haroratga bog‘liqligi (The method temperature dependence Steady-State Photoconductivity) orqali rekombinatsion jarayonlar mexanizmi o‘rganilgan. Uzluksizlik va elektroneytrallik tenglamalari yechimlaridan foydalangan holda, kuchli legirlangan a-Si:H pardalar uchun olingan σ σ0(1/T) bog‘lanishidagi nomonotonlik, turli harorat oralig‘ida D-markazlarda rekombinatsion jarayonlarning turlicha sodir bo‘lishi natijasida yuzaga kelishi ko‘rsatilgan.