Сравнительный анализ полупроводников из нитридов элементов III группы: GaN, InN и AlGaN. (Universal xalqaro ilmiy jurnal, 2026)
В данном исследовании представлен всесторонний сравнительный анализ полупроводников на основе нитридов III группы, а именно нитрида галлия (GaN), нитрида индия (InN) и нитрида алюминия-галлия (AlGaN), с акцентом на их структурные, электронные и оптические свойства. Благодаря широкой и регулируемой ширине запрещенной зоны, высокой термической и химической стабильности, а также выраженным эффектам спонтанной и пьезоэлектрической поляризации, материалы на основе нитридов III группы играют решающую роль в современных мощных высокочастотных электронных и оптоэлектронных устройствах. Анализ включает систематическое сравнение кристаллических структур, параметров решетки, энергий запрещенной зоны, подвижности носителей заряда и характеристик оптического поглощения GaN, InN и AlGaN. Особое внимание уделено тройным сплавам AlGaN, где исследуется влияние состава алюминия на проектирование ширины запрещенной зоны, эффекты деформации и заряд, индуцированный поляризацией. Преимущества этих материалов при формировании гетероструктур и квантово-ямочных систем обсуждаются в контексте применения в таких устройствах, как светодиоды, лазерные диоды, ультрафиолетовые фотодетекторы и транзисторы с высокой подвижностью электронов (HEMT). Результаты подчеркивают отличительные особенности и технологический потенциал каждого материала, обеспечивая прочную научную основу для проектирования и оптимизации перспективных полупроводниковых устройств на основе нитридов III группы.
Keywords: группа III – нитриды; ГаН; Гостиница