(untitled) (Universal xalqaro ilmiy jurnal, 2026)
В данной работе теоретически анализируется влияние внешнего давления на коэффициент поглощения света в полупроводниковых материалах. Рассматривается состояние энергетических зон и изменение ширины запрещенной зоны в результате изменений параметров кристаллической решетки под давлением. На основе связи между процессом поглощения света и зонной структурой анализируется зависимость коэффициента поглощения от энергии фотона. Теоретические модели объясняют, как сдвиг энергетических зон под давлением напрямую влияет на энергию переходов. Также показаны возможности определения зависимости ширины запрещенной зоны от давления посредством сдвига спектра поглощения. Полученные теоретические результаты имеют большое значение с точки зрения управления оптическими свойствами полупроводниковых материалов и их применения в оптоэлектронных устройствах.